A vertical one-transistor, floating-body DRAM cell is fabricated by forming an isolation region in a semiconductor substrate, thereby defining a semiconductor island in the substrate. A buried source region is formed in the substrate, wherein the top/bottom interfaces of the buried source region are located above/below the bottom of the isolation region, respectively. A recessed region is etched into the isolation region, thereby exposing sidewalls of the semiconductor island, which extend below the top interface of the buried source region. A gate dielectric is formed over the exposed sidewalls, and a gate electrode is formed in the recessed region, over the gate dielectric. A drain region is formed at the upper surface of the semiconductor island region, thereby forming a floating body region between the drain region and the buried source region. Dielectric spacers are formed adjacent to the gate electrode, thereby covering exposed edges of the gate dielectric.

Un uno-transistor vertical, célula de la COPITA del flotar-cuerpo es fabricado formando una región del aislamiento en un substrato del semiconductor, de tal modo definiendo una isla del semiconductor en el substrato. Una región enterrada de la fuente se forma en el substrato, en donde los interfaces de top/bottom de la región enterrada de la fuente son above/below localizados el fondo de la región del aislamiento, respectivamente. Una región ahuecada se graba al agua fuerte en la región del aislamiento, de tal modo exponiendo los flancos de la isla del semiconductor, que extienden debajo del interfaz superior de la región enterrada de la fuente. Un dieléctrico de la puerta es excedente formado los flancos expuestos, y un electrodo de puerta se forma en la región ahuecada, sobre el dieléctrico de la puerta. Una región del dren se forma en la superficie superior de la región de la isla del semiconductor, de tal modo formando una región flotante del cuerpo entre la región del dren y la región enterrada de la fuente. Los espaciadores dieléctricos se forman adyacente al electrodo de puerta, de tal modo cubriendo los bordes expuestos del dieléctrico de la puerta.