An attenuating embedded phase shift photomask blank that produces a phase shift of the transmitted light is formed with an optically translucent film made of metal, silicon, nitrogen and oxygen. An etch stop layer is added to improve the etch selectivity of the phase shifting layer. A wide range of optical transmission (0.001% up to 15% at 157 nm) is obtained by this process.

Ein Vermindern bettete Phasenverschiebung Photomaske freien Raum ein, der eine Phasenverschiebung des übertragenen Lichtes wird gebildet mit einem optisch lichtdurchlässigen Film produziert, der vom Metall, vom Silikon, vom Stickstoff und vom Sauerstoff gebildet wird. Eine Ätzungendschicht wird addiert, um die Ätzungselektivität der Phase verschiebenschicht zu verbessern. Eine breite Strecke des optischen Getriebes (0.001% bis 15% bei 157 nm) wird durch diesen Prozeß erhalten.