A method and structure for providing a tunneling magnetoresistive (TMR)
element is disclosed. The method and structure include providing a TMR
layer that includes a first magnetic layer, a second magnetic layer and a
first insulating layer disposed between the first magnetic layer and the
second magnetic layer. The method and structure also include providing a
first material and a protective layer. The first material allows
electrical contact to be made to the tunneling magnetoresistive layer and
is disposed above the tunneling magnetoresistive layer. The first material
is capable of being undercut by an plasma etch without exposing a portion
of the tunneling magnetoresistive layer under a remaining portion of the
first material. The second protective layer covers a portion of the
tunneling magnetoresistive sensor and a portion of the first material. In
one aspect, the method and structure also include providing a second
material disposed between the tunneling magnetoresistive layer and the
first material. The second material allows electrical contact to be made
to the tunneling magnetoresistive layer and is resistant to removal by the
plasma etch.
Показаны метод и структура для обеспечивать элемент прокладывать тоннель магниторезистивный (TMR). Метод и структура вклюают обеспечивать слой TMR вклюает первый магнитный слой, второй магнитный слой и первый изолируя слой размещанный между первым магнитным слоем и вторым магнитным слоем. Метод и структура также вклюают обеспечивать первый материал и защитный слой. Первый материал позволяет электрический контакт быть сделанным к слою прокладывать тоннель магниторезистивному и размещан над слоем прокладывать тоннель магниторезистивным. Первый материал способен быть undercut etch плазмы без подвергать действию часть слоя прокладывать тоннель магниторезистивного под остальной частью первого материала. Второй защитный слой покрывает часть датчика прокладывать тоннель магниторезистивного и часть первого материала. В одном аспекте, метод и составляет также вклюает обеспечивать второй материал размещанный между слоем прокладывать тоннель магниторезистивным и первым материалом. Второй материал позволяет электрический контакт быть сделанным к слою прокладывать тоннель магниторезистивному и упорн к удалению etch плазмы.
