The separation method of a semiconductor layer according to the present invention comprises separating a semiconductor layer and a semiconductor substrate at a separation layer formed therebetween, wherein a face of the semiconductor layer at the side opposite to the separation layer and/or a face of the semiconductor substrate at the side opposite to the separation layer are held by utilizing an ice layer, whereby it is unnecessary to use an adhesive as holding means and at the same time it is possible to easily and uniformly separate them.

El método de la separación de una capa del semiconductor según la actual invención abarca la separación de una capa del semiconductor y un substrato del semiconductor en una capa de la separación formada therebetween, en donde una cara de la capa del semiconductor en el lado opuesto a la capa de la separación y/o una cara del substrato del semiconductor en el lado opuesto a la capa de la separación son celebradas utilizando una capa del hielo, por el que sea innecesario utilizar un pegamento pues llevando a cabo medios y en el mismo tiempo sea posible a fácilmente y uniformemente separado ellos.