A process for fabricating a semiconductor device having a high-K dielectric layer over a silicon substrate, including steps of growing on the silicon substrate an interfacial layer of a silicon-containing dielectric material; and depositing on the interfacial layer a layer comprising at least one high-K dielectric material, in which the interfacial layer is grown by laser excitation of the silicon substrate in the presence of oxygen, nitrous oxide, nitric oxide, ammonia or a mixture of two or more thereof. In one embodiment, the silicon-containing material is silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride or a mixture thereof.

Ein Prozeß für das Fabrizieren eines Halbleiterelements, das eine hohe-K dielektrische Schicht über einem Silikonsubstrat, einschließlich Schritte des Wachsens auf dem Silikonsubstrat ein Zwischenflächen- Schicht eines Silikon-enthaltenen dielektrischen Materials hat; und auf der Zwischenflächen- Schicht ein die Schicht niederlegend, die an wenigem ein hohem-K dielektrischem Material enthält, in dem die Zwischenflächen- Schicht durch Laser Erregung des Silikonsubstrates im Vorhandensein des Sauerstoffes, des Stickstoff-Monoxids, des Stickstoffoxids, des Ammoniaks oder der Mischung von zwei oder davon gewachsen wird. In einer Verkörperung ist das Silikon-enthaltene Material Silikondioxid, Silikonnitrid, Silikon oxynitride oder eine Mischung davon.