Disclosed is a method of forming a quantum dots array. In the method of the present invention, a structure of wire-like quantum dots with good quality is formed in materials having an inconsistency in the lattice constant on a tilted substrate by using the binding property of atomic bonding due to chemical bonding steps of the tilted substrate, and the spacing of the wire-like quantum dots is varied by using the step width of the tilted substrate which is transformed due to a partial pressure of a source gas and the thickness of a buffer layer. The invention allows materials having an inconsistency in the lattice constant to be freely formed in the form of quantum wires with a growing technique only and accordingly to be used as base materials in use for manufacture of novel concept of optoelectronic devices which have not been obtained so far.

Αποκαλύπτεται μια μέθοδος μια κβαντική σειρά σημείων. Στη μέθοδο της παρούσας εφεύρεσης, μια δομή των καλώδιο-όπως κβαντικών σημείων με την καλή ποιότητα διαμορφώνεται στα υλικά που έχουν μια ασυνέπεια στο δικτυωτό πλέγμα σταθερό σε ένα γαρμένο υπόστρωμα με τη χρησιμοποίηση της δεσμευτικής ιδιοκτησίας της ατομικής σύνδεσης λόγω στα χημικά συνδέοντας βήματα του γαρμένου υποστρώματος, και το διάστημα των καλώδιο-όπως κβαντικών σημείων ποικίλλεται με τη χρησιμοποίηση του πλάτους βημάτων του γαρμένου υποστρώματος που μετασχηματίζεται λόγω σε μια μερική πίεση μιας πηγής αέριο και το πάχος ενός στρώματος απομονωτών. Η εφεύρεση επιτρέπει τα υλικά που έχουν μια ασυνέπεια στο δικτυωτό πλέγμα σταθερό για να διαμορφωθεί ελεύθερα υπό μορφή κβαντικών καλωδίων με μια αυξανόμενη τεχνική μόνο και αναλόγως για να χρησιμοποιηθεί ως υλικά βάσεων σε χρήση για την κατασκευή της νέας έννοιας των οπτικοηλεκτρονικών συσκευών που δεν έχουν λήφθουν μέχρι τώρα.