A current detector having a Hall-effect device formed in a semiconductor substrate for giving an output voltage proportional to the magnitude of an electric current. Also included is a sheet-metal baseplate mechanically supporting the Hall-effect device. For handling a current of greater magnitude than heretofore, a U-shaped current path is defined in the baseplate as by cutting therein a J-shaped slit and a set of straight slits for bounding the opposite side edges of the path. The baseplate lies in sufficient proximity to the Hall-effect device to cause the same to develop a voltage indicative of the current magnitude on the current path.

Ein gegenwärtiger Detektor, der ein Halleffekt-Bauelement sich bilden läßt in einem Halbleitersubstrat für das Geben einer Ausgang Spannung proportional zur Größe eines elektrischen Stromes. Auch geschlossen eine Blechgrundplatte ein, die mechanisch das Halleffekt-Bauelement stützt. Für die Behandlung eines Stromes der grösseren Größe als vorhin, wird ein uer-förmig gegenwärtiger Weg in der Grundplatte wie definiert, indem man darin einen J-geformten Schlitz und einen Satz gerade Schlitze für das Springen der gegenüberliegenden seitlichen Ränder des Weges schneidet. Die Grundplatte liegt in der genügenden Nähe zum Halleffekt-Bauelement, um dasselbe zu veranlassen, eine Spannung zu entwickeln, die von der gegenwärtigen Größe auf dem gegenwärtigen Weg hinweisend ist.