A method of forming a dual damascene structure comprises the steps of providing a substrate having a first conductive layer formed thereon, and then sequentially forming a first dielectric layer, an anti-reflection layer and a second dielectric layer over the substrate. Next, the first dielectric layer, the anti-reflection layer and the second dielectric layer are patterned to form a first opening that exposes the conductive layer. Thereafter, the second dielectric layer is patterned to form a trench (or second opening) in a position above the first conductive layer. The trench and the first opening together form an opening of the dual damascene structure. Finally, a second conductive material is deposited into the opening and the trench to form conductive lines and the dual damascene structures.

Un método de formar una estructura damasquina dual abarca los pasos de proporcionar un substrato que hace una primera capa conductora formar sobre eso, y entonces secuencialmente formando una primera capa dieléctrica, una capa de los antireflejos y una segunda capa dieléctrica sobre el substrato. Después, la primera capa dieléctrica, la capa de los antireflejos y la segunda capa dieléctrica están modeladas para formar una primera abertura que exponga la capa conductora. Después de eso, la segunda capa dieléctrica está modelada para formar un foso (o la segunda abertura) en una posición sobre la primera capa conductora. El foso y la primera abertura juntos forman una abertura de la estructura damasquina dual. Finalmente, un segundo material conductor se deposita en la abertura y el foso para formar líneas conductoras y las estructuras damasquinas duales.