A method and structure for forming a metallic capping interface between damascene conductive wires/studs and damascene conductive wiring line structures. The method forms a first insulative layer on a substrate layer, followed by forming damascene conductive wires/studs in the first insulative layer. A lower portion of each damascene conductive wire/stud is in contact with an electronic device (e.g., a field effect transistor), or a shallow trench isolation, that is within the substrate layer. A top portion of the first insulative layer is removed, such as by etching, such that an upper portion of the damascene conductive wires/studs remain above the first insulative layer. A metallic capping layer is formed on the upper portions of the damascene conductive wires/studs such that the metallic capping layer is in conductive contact with the damascene conductive wires/studs. Portions of the metallic capping layer between the damascene conductive wires/studs are removed to form a metallic cap on each damascene conductive wire/stud and to conductively isolate one or more of the damascene conductive wires/studs. A portion of the metallic capping layer may be removed from a particular damascene conductive wire/stud such that no metallic capping material remains conductively coupled to the particular damascene conductive wire/stud. A second insulative layer is formed on the first insulative layer such that the second insulative layer covers the metallic caps. Damascene conductive wiring lines are formed within the second insulative layer above the metallic caps and are conductively coupled to the metallic caps.

Метод и структура для формировать металлическую покрывая поверхность стыка между damascene проводным wires/studs и damascene проводными структурами линии проводки. Метод формирует первый insulative слой на слое субстрата, последованном за путем формировать damascene проводное wires/studs в первом insulative слое. Более низкая часть каждого damascene проводного wire/stud in contact with электронное приспособление (например, транзистор влияния поля), или отмелая изоляция шанца, которое находится в пределах слоя субстрата. Верхняя часть первого insulative слоя извлекается, such as путем вытравлять, такое что верхняя часть damascene проводного wires/studs остает над первым insulative слоем. Металлический покрывая слой сформирован на верхних частях damascene проводного wires/studs такие что металлический покрывая слой находится в проводном контакте с damascene проводным wires/studs. Части металлического покрывая слоя между damascene проводным wires/studs извлечутся для того чтобы сформировать металлическую крышку на каждом damascene проводном wire/stud и проводно изолировать one or more из damascene проводного wires/studs. Часть металлического покрывая слоя может извлечься от определенного damascene проводного wire/stud такие что никакой металлический покрывая остаток материала проводно соединенный к определенному damascene проводному wire/stud. Второй insulative слой сформирован на первом insulative слое такие что второй insulative слой покрывает металлические крышки. Damascene проводные линии проводки сформированы в пределах второго insulative слоя выше металлические крышки и проводно соединены к металлическим крышкам.