A method of forming a crystalline semiconductor thin film on a base material which can be prepared at a low temperature by simple step and device, the method including a processing step of applying UV-rays to an amorphous semiconductor thin film provided on a base material while keeping a temperature at not less than 25.degree. C. and not more than 300.degree. C. in a vacuum or a reducing gas atmosphere, as well as a substrate having the semiconductor thin film provided on the base material, a substrate for forming a color filter and a color filter using the substrate.

Μια μέθοδος μια κρυστάλλινη λεπτή ταινία ημιαγωγών σε ένα υλικό βάσεων που μπορεί να προετοιμαστεί σε μια χαμηλή θερμοκρασία από το απλές βήμα και τη συσκευή, τη μέθοδο συμπεριλαμβανομένου ενός βήματος επεξεργασίας της εφαρμογής των UV-AKTJ'NWN σε μια άμορφη λεπτή ταινία ημιαγωγών που παρέχεται σε ένα υλικό βάσεων κρατώντας μια θερμοκρασία σε περισσότερο από 25.degree. Γ. και όχι περισσότερο από 300.degree. Γ. σε ένα κενό ή μιας μείωσης αέριο της ατμόσφαιρας, καθώς επίσης και ένα υπόστρωμα που έχει τη λεπτή ταινία ημιαγωγών παρασημένη στο υλικό βάσεων, ένα υπόστρωμα για τη διαμόρφωση ενός φίλτρου χρώματος και ενός φίλτρου χρώματος χρησιμοποιώντας το υπόστρωμα.

 
Web www.patentalert.com

< Gas phase polymerization of olefins

< Lithographic printing plate precursor

> Chromogenic window assembly construction and other chromogenic devices

> Method for recovering metal values from metal-containing materials using high temperature pressure leaching

~ 00097