There is disclosed a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device in which a heat time required for crystal growth is shortened and a process is simplified. Two catalytic element introduction regions are arranged at both sides of one active layer and crystallization is made. A boundary portion where crystal growth from one catalytic element introduction region meets crystal growth from the other catalytic element introduction region is formed in a region which becomes a source region or drain region.

Показано прибора на полупроводниках и упрощан метод изготовлять прибора на полупроводниках в сокращено время жары необходимо для роста кристалла и процесс. 2 каталитических зоны введения элемента аранжированы на обеих сторонах одного активно слоя и кристаллизация сделана. Часть границы где рост кристалла от одной каталитической зоны введения элемента встречает рост кристалла от другой каталитической зоны введения элемента сформирована в зоне будет зоной источника или зоной стока.