In order to prevent a rise in resistance due to oxidation of copper wiring and diffusion of copper, a semiconductor device is provided which contains a wire protective film 1 covering the top of the copper wiring 2 formed in the insulation film and a barrier film surrounding the side and bottom of the copper wiring. The wire protective film and/or barrier film is formed with a cobalt alloy film containing (1) cobalt, (2) at least one of chromium, molybdenum, tungsten, rhenium, thallium and phosphorus, and (3) boron.

A fim impedir uma ascensão na resistência devido à oxidação da fiação de cobre e à difusão do cobre, um dispositivo de semicondutor é fornecido que contenha uma película protetora 1 do fio que cobre o alto da fiação de cobre 2 dada forma na película da isolação e em uma película da barreira que cercam o lado e o fundo da fiação de cobre. A película protetora do fio e/ou a película da barreira são dadas forma com uma película da liga do cobalt que contem (1) o cobalt, (2) ao menos um do cromo, do molibdênio, do tungstênio, do rhenium, do thallium e do phosphorus, e (3) boro.