A multi-storage nonvolatile memory of high density, high speed and high reliability has a memory transistor and switch transistors disposed on both the sides of the memory transistor. The memory transistor includes a gate insulating film having discrete traps and a memory gate electrode, whereas the switch transistors include switch gate electrodes. The gate insulating film has the discrete traps for storing information charge, can locally inject carriers, and one memory cell constitutes a multi-storage cell for storing at least information of 2 bits. The switch transistors having the switch gate electrodes realize source side injection. The memory transistor is fommed together with the switch transistors in self-aligned diffusion. The memory gate electrode of the memory transistor is connected to a word line so as to perform word-line erase.

Ein Multiablage Permanentspeicher der hohen Dichte-, Schnell- und hoherzuverlässigkeit hat einen Gedächtnistransistor und die Schaltertransistoren, die auf beiden Seiten des Gedächtnistransistors abgeschaffen werden. Der Gedächtnistransistor schließt einen isolierenden Film des Gatters mit ein, der getrennte Fallen und eine Gedächtnisgate-Elektrode hat, während die Schaltertransistoren Schaltergate-Elektroden miteinschließen. Der isolierende Film des Gatters hat die getrennten Fallen für die Speicherung der Informationen Aufladung, kann Fördermaschinen am Ort einspritzen, und eine Speicherzelle setzt eine Multiablage Zelle für die Speicherung von von mindestens Informationen von 2 Bits fest. Die Schaltertransistoren, welche die Schaltergate-Elektroden haben, verwirklichen Quellseitliche Einspritzung. Der Gedächtnistransistor ist fommed zusammen mit den Schaltertransistoren in Selbst-ausgerichteter Diffusion (Zerstäubung). Die Gedächtnisgate-Elektrode des Gedächtnistransistors wird an eine Wortlinie angeschlossen, um Wort-Linie durchzuführen löschen Sie.