In a semiconductor device having P type and N type wells formed bordering on a step on a P type semiconductor substrate, a first transistor (precise transistor) having a first linewidth is formed on the P type well in a step lower region while a second transistor (high-voltage transistor) having a second linewidth greater than a linewidth of the first transistor is formed on the N type well in a step higher region.

In un dispositivo a semiconduttore che ha P scriva ed il tipo di N scaturisce bordering formato su un punto su un tipo substrato di P a semiconduttore, un primo transistore (transistore preciso) che ha un primo linewidth è formato sul tipo di P bene in una regione di punto più basso mentre un secondo transistore (transistore ad alta tensione) che ha un secondo linewidth più grande di un linewidth del primo transistore è formato bene sul tipo di N in un'più alta regione di punto.