Compounds represented by formula (IV): ##STR1## are provided, as well as methods for synthesizing the compounds, wherein variable R.sub.21 to R.sub.28 are as defined herein.

Composés représentés par la formule (iv) : ## du ## STR1 sont fournis, aussi bien que des méthodes pour synthétiser les composés, où R.sub.21 variables à R.sub.28 sont comme définis ci-dessus.

 
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< Single transistor ferroelectric memory cell, device and method for the formation of the same incorporating a high temperature ferroelectric gate dielectric

< Nonvolatile memory

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

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