A method for the fabrication of a cap layer on a top electrode layer of a ferroelectric capacitor includes the steps of depositing an amorphous layer, usually made of Sr.sub.(x) Ru.sub.(y) O.sub.3, on the top electrode and then annealing the amorphous layer in two stages in order convert the amorphous layer into the cap layer. The first anneal is performed at 500.degree. C. to 700.degree. C. in a non-oxidizing atmosphere, such as nitrogen, and converts the amorphous layer into a crystallized layer of Sr.sub.(x) Ru.sub.(y) O.sub.3. The second anneal is performed at 300.degree. C. to 500.degree. C. in an oxidizing atmosphere, such as oxygen, and converts the crystallized layer into the cap layer. The method is applied to the formation of a ferroelectric capacitor element of an integrated semiconductor device.

Метод для изготовления слоя крышки на верхнем слое электрода ferroelectric конденсатора вклюает шаги депозировать аморфический слой, обычно делаемые Sr.sub.(x) Ru.sub.(y) O.sub.3, на верхнем электроде и после этого обжигающ аморфический слой в 2 этапах в заказе преобразуйте аморфический слой в слой крышки. Первые обжигают выполнены на 500.degree. C к 700.degree. C в нон-okisl44 атмосфере, such as азот, и новообращенные аморфический слой в выкристаллизовыванный слой Sr.sub.(x) Ru.sub.(y) O.sub.3. Секунда обжигает выполнена на 300.degree. C к 500.degree. C в окисляя атмосфере, such as кислород, и новообращенные выкристаллизовыванный слой в слой крышки. Метод приложен к образованию ferroelectric элемента конденсатора интегрированный прибора на полупроводниках.