A substrate etching chamber has a substrate support, a gas supply to introduce a process gas into the chamber; an inductor antenna to sustain a plasma of the process gas in a process zone of the chamber, and an exhaust to exhaust the process gas. A magnetic field generator disposed about the chamber has first and second solenoids. A controller is adapted to control a power supply to provide a first current to the first solenoid and a second current to the second solenoid, thereby generating a magnetic field in the process zone of the chamber to controllably shape the plasma in the process zone to reduce etch rate variations across the substrate.

Ein Substratradierung Raum hat eine Substratunterstützung, ein Gas-Versorgungsmaterial, zum eines Prozeßgases in den Raum vorzustellen; eine Drosselspule Antenne, zum eines Plasmas des Prozeßgases in einer Prozeßzone des Raumes zu unterstützen und ein Absaugventilator, um das Prozeßgas zu erschöpfen. Ein magnetisches fangen den Generator auf, der über den Raum abgeschaffen wird, hat zuerst und zweite Solenoide. Ein Steuerpult wird angepaßt, um ein Spg.Versorgungsteil zu steuern, um einen ersten Strom bis das erste Solenoid zur Verfügung zu stellen und ein zweiter Strom bis das zweite Solenoid, dadurch sieerzeugen sieerzeugen ein magnetisches, fangen in der Prozeßzone des Raumes auf, um das Plasma in der Prozeßzone controllably zu formen, um Ätzungrate Veränderungen über dem Substrat zu verringern.