A process for fabrication of a semiconductor device including a modified ONO structure, including forming the modified ONO structure by providing a semiconductor substrate; forming a first oxide layer on the semiconductor substrate; depositing a layer comprising a high-K dielectric material on the first oxide layer; and forming a top oxide layer on the layer comprising a high-K dielectric material. The semiconductor device may be, e.g., a MIRRORBIT.TM. two-bit EEPROM device or a floating gate flash device including a modified ONO structure.

Ein Prozeß für Herstellung eines Halbleiterelements einschließlich eine geänderte ONO Struktur, einschließlich die Formung der geänderten ONO Struktur durch das Zur Verfügung stellen eines Halbleitersubstrates; ein erstes Oxid bildend, überlagern Sie auf dem Halbleitersubstrat; Niederlegen einer Schicht, die ein hohes-K dielektrisches Material auf der ersten Oxidschicht enthält; und eine obere Oxidschicht auf der Schicht bildend, die ein hohes-K dielektrisches Material enthält. Das Halbleiterelement kann z.B. eine MIRRORBIT.TM. Zweispitze EEPROM Vorrichtung oder eine sich hin- und herbewegende grelle Vorrichtung des Gatters einschließlich eine geänderte ONO Struktur sein.