A sensor is disclosed. A representative sensor includes a silicon substrate having a porous silicon region. A portion of the porous silicon region has a front contact is disposed thereon. The contact resistance between the porous silicon region and the front contact is between about 10 ohms and 100 ohms.

Ένας αισθητήρας αποκαλύπτεται. Ένας αντιπροσωπευτικός αισθητήρας περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα πυριτίου που έχει μια πορώδη περιοχή πυριτίου. Μια μερίδα της πορώδους περιοχής πυριτίου έχει μια μπροστινή επαφή διατίθεται επ'αυτού. Η αντίσταση επαφών μεταξύ της πορώδους περιοχής πυριτίου και της μπροστινής επαφής είναι μεταξύ περίπου 10 ωμ και 100 ωμ.