A method and/or system and/or apparatus for a molecular-based FET device (an m-FET) uses charge storing molecules between a gate and channel of an FET-type transistor. Further embodiments describe fabrication methods for using combinations of standard practices in lithography and synthetic chemistry and novel elements.

Une méthode et/ou un système et/ou un appareil pour des usages moléculaire-basés d'un dispositif de FET (un m-FET) chargent stocker des molécules entre une porte et un canal d'un FET-TYPE transistor. D'autres incorporations décrivent des méthodes de fabrication pour l'usage des combinaisons des techniques normalisées dans la lithographie et les éléments synthétiques de chimie et de roman.