A chemical mechanical polishing (CMP) system is provided. A carrier has a top surface and a bottom region. The top surface of the carrier is designed to hold and rotate a wafer having a one or more formed layers to be prepared. A preparation head is also included and is designed to be applied to at least a portion of the wafer that is less than an entire portion of the surface of the wafer. Preferably, the preparation head and the carrier are configured to rotate in opposite directions. In addition, the preparation head is further configured to oscillate while linearly moving from one of the direction of a center of the wafer to an edge of the wafer and from the edge of the wafer to the center of the wafer so as to facilitate precision controlled removal of material from the formed layers of the wafer.

Химически механически полируя система (cmp) обеспечена. Несущая имеет верхнюю поверхность и нижнюю зону. Верхняя поверхность несущей конструирована для того чтобы держать и поворачивать вафлю имея one or more сформированные слои, котор нужно подготовить. Головка подготовки также включена и конструирована быть приложенным к по крайней мере части вафли чем вся часть поверхности вафли. Предпочтительн, головка подготовки и несущая установлены для того чтобы вращать в противоположных направлениях. In addition, головка подготовки более добавочно установлена для того чтобы осциллировать пока линейно двигающ от одного из направления центра вафли к краю вафли и от края вафли к центру вафли облегчить точность контролировал удаление материала от сформированных слоев вафли.