Provided are a magnetic transducer capable of increasing a resistance change and obtaining an appropriate coercive force, a thin film magnetic head, a method of manufacturing a magnetic transducer and a method of manufacturing a thin film magnetic head. A stack, a spin valve film has a stacked structure comprising a first soft magnetic layer, a second soft magnetic layer, a nonmagnetic metal layer, a ferromagnetic layer, an antiferromagnetic layer and a protective layer which are stacked in sequence on an underlying layer. Electrical resistance is changed in accordance with a relative angle between the orientation of magnetization of the ferromagnetic layer and the orientation of magnetization of the first and second soft magnetic layers. A soft magnetic interlayer having magnetism and the electrical resistance higher than the electrical resistance of the first soft magnetic layer is formed in the first soft magnetic layer. When a current flows through the stack, electrons are reflected by the surface of the soft magnetic interlayer and thus a path for the electrons is narrowed. Therefore, a rate of resistance change is increased.

При условии магнитный датчик способный увеличивать изменение сопротивления и получать соотвествующее коэрцитивное усилие, головка тонкой пленки магнитная, метод изготовлять магнитный датчик и метод изготовлять головку тонкой пленки магнитную. Стог, пленка клапана закрутки имеет штабелированную структуру состоять из первого мягкого магнитного слоя, второго мягкого магнитного слоя, немагнитного слоя металла, сегнетомагнитного слоя, antiferromagnetic слоя и защитного слоя который штабелированы в последовательности на основном слое. Электрическое сопротивление изменено в соответствии с относительным углом между ориентацией замагничивания сегнетомагнитного слоя и ориентацией замагничивания первых и вторых мягких магнитных слоев. Мягкий магнитный прослоек имея магнетизм и электрическое сопротивление более высоко чем электрическое сопротивление первого мягкого магнитного слоя сформирован в первом мягком магнитном слое. Когда течение пропускает через стог, электроны отражены поверхностью мягкого магнитного прослойка и таким образом курс для электронов сужан. Поэтому, тариф изменения сопротивления увеличен.

 
Web www.patentalert.com

< Spin-dependent tunneling sensor with low resistance metal oxide tunnel barrier

< Spin-valve magnetoresistive device having a layer for canceling a leakage magnetic field

> Stocker and changer for information recording media

> Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization

~ 00094