A spin-valve magnetoresistive device that can reproduce a signal magnetic field from a magnetic recording medium with high precision is provided. This spin-valve magnetoresistive device includes a free magnetic layer (a first ferromagnetic layer), a non-magnetic conductive layer, a multi-layered fixed magnetic layer, and an anti-ferromagnetic layer. These layers are laminated in that order. The multi-layered fixed magnetic layer includes a second ferromagnetic layer, a reverse parallel coupling intermediate layer, and a third ferromagnetic layer, which layers are laminated in that order. A fourth ferromagnetic layer that cancels a leakage magnetic field generated from the multi-layered fixed magnetic layer is disposed in contact with the anti-ferromagnetic layer.

Um dispositivo magnetoresistive da gir-válvula que possa reproduzir um campo magnético do sinal de um meio magnético da gravação com precisão elevada é fornecido. Este dispositivo magnetoresistive da gir-válvula inclui uma camada magnética livre (uma primeira camada ferromagnetic), uma camada condutora non-magnetic, uma camada magnética fixa multi-layered, e uma camada anti-anti-ferromagnetic. Estas camadas são laminadas nessa ordem. A camada magnética fixa multi-layered inclui uma segunda camada ferromagnetic, uma camada intermediária do acoplamento paralelo reverso, e uma terceira camada ferromagnetic, que as camadas sejam laminadas nessa ordem. Uma quarta camada ferromagnetic que cancele um campo magnético do escapamento gerado da camada magnética fixa multi-layered é disposta no contato com a camada anti-anti-ferromagnetic.

 
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< Tunnel valve sensor having a pinned layer structure with an iron oxide (Fe3O4) layer

< Spin-dependent tunneling sensor with low resistance metal oxide tunnel barrier

> Magnetic transducer with interlayer thin-film magnetic head and method of manufacturing thereof

> Stocker and changer for information recording media

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