A method and system are presented for determing a line profile in a patterned structure, aimed at controlling a process of manufacture of the structure. The patterned structure comprises a plurality of different layers, the pattern in the structure being formed by patterned regions and un-patterned regions. At least first and second measurements are carried out, each utilizing illumination of the structure with a broad wavelengths band of incident light directed on the structure at a certain angle of incidence, detection of spectral characteristics of light returned from the structure, and generation of measured data representative thereof. The measured data obtained with the first measurement is analyzed, and at least one parameter of the structure is thereby determined. Then, this determined parameter is utilized, while analyzing the measured data obtained with the second measurements enabling the determination of the profile of the structure.

Метод и система для determing профиль линии в сделанной по образцу структуре, после того как я направлены на контролировать процесс изготовления структуры. Сделанная по образцу структура состоит из множественности по-разному слоев, картины в структуре будучи сформированной сделанными по образцу зонами и ун-sdelannymi по образцу зонами. По крайней мере сперва и вторые измерения снесены вне, каждое используя освещение структуры при обширная полоса длин волны света случая сразу на структуре на некотором угле падения, обнаружение спектральных характеристик света возвращенных от структуры, и поколение измеренного представителя данных thereof. Проанализированы измеренные данные полученные с первым измерением, и по крайней мере один параметр структуры таким образом обусловлен. После этого, использован этот determined параметр, пока анализирующ измеренные данные полученные с вторыми измерениями включающ определение профиля структуры.