There are provided a structure of a semiconductor device in which low power consumption is realized even in a case where a size of a display region is increased to be a large size screen and a manufacturing method thereof. A gate electrode in a pixel portion is formed as a three layered structure of a material film containing mainly W, a material film containing mainly Al, and a material film containing mainly Ti to reduce a wiring resistance. A wiring is etched using an IPC etching apparatus. The gate electrode has a taper shape and the width of a region which becomes the taper shape is set to be 1 .mu.m or more.

On fournit une structure d'un dispositif de semi-conducteur en lequel la basse puissance d'énergie est réalisée même dans un cas où une taille d'une région d'affichage est augmentée pour être un grand écran de taille et une méthode de fabrication en. Une électrode de porte dans une partie de Pixel est formée comme structure posée par trois d'un film matériel contenant principalement W, d'un film matériel contenant principalement Al, et d'un film matériel contenant principalement le Ti pour réduire une résistance de câblage. Un câblage est gravé à l'eau-forte en utilisant un IPC gravant à l'eau-forte l'appareil. L'électrode de porte a une forme de cône et la largeur d'une région qui devient la forme de cône est placée pour être 1 mu.m ou plus.

 
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