A magnetoresistive random access memory (MRAM) has separate read and write paths. Switchable current mirrors, each having multiple series-connected stages, receive a common reference current. A timing circuit provides control signals to word and bit decoders and to the switchable current mirrors to selectively complete current paths through a predetermined write word line and a predetermined write bit line. Bit lines are connected together at a common end, and word lines are connected together at a common end. By precharging a common rail having multiple write bit lines connected together, the write noise immunity is improved and current spikes are minimized. Groups of bit lines may be connected via a metal option to adjust a transition time of a programming current.

Μια magnetoresistive τυχαία μνήμη πρόσβασης (MRAM) έχει χωριστή διαβασμένη και γράφει τις πορείες. Οι μετατρέψιμοι τρέχοντες καθρέφτες, κάθε ένας που έχει τα πολλαπλάσια series-connected στάδια, λαμβάνουν ένα κοινό ρεύμα αναφοράς. Ένα κύκλωμα συγχρονισμού παρέχει τα σήματα ελέγχου στη λέξη και δάγκωσε τους αποκωδικοποιητές και στο μετατρέψιμο ρεύμα οι καθρέφτες στις επιλεκτικά πλήρεις τρέχουσες πορείες μέσω προκαθορισμένου γράφουν τη γραμμή λέξης και προκαθορισμένος γράφει τη γραμμή κομματιών. Οι γραμμές κομματιών συνδέονται σε ένα κοινό τέλος, και οι γραμμές λέξης συνδέονται σε ένα κοινό τέλος. Με το προφόρτισμα μιας κοινής ράγας που έχει το πολλαπλάσιο γράψτε τις γραμμές κομματιών που συνδέονται, γράψτε η ασυλία ότι θορύβου βελτιώνεται και οι τρέχουσες ακίδες ελαχιστοποιούνται. Οι ομάδες γραμμών κομματιών μπορούν να συνδεθούν μέσω μιας επιλογής μετάλλων να ρυθμιστεί ένας χρόνος μετάβασης ενός ρεύματος προγραμματισμού.