A magnetic memory device has a plurality of write lines and a plurality of memory cells. Each of the plurality of memory cells are operatively positioned between a corresponding pair of the plurality of write lines. Each of the plurality of memory cells has a sense layer and a reference layer separated by an insulating layer. The reference layer of each of the plurality of memory cells includes a high coercivity permanent magnet.

Un dispositivo di memoria magnetico fa scrivere una pluralità di le linee e una pluralità di cellule di memoria. Ciascuna della pluralità di cellule di memoria è posizionata attivamente fra un accoppiamento corrispondente della pluralità di scrive le linee. Ciascuna della pluralità di cellule di memoria ha uno strato di senso e uno strato di riferimento separati da uno strato isolante. Lo strato di riferimento di ciascuna della pluralità di cellule di memoria include un alto magnete di permanent di coercivity.