A siloxan polymer insulation film has a dielectric constant of 3.3 or lower and has --SiR.sub.2 O-- repeating structural units. The siloxan polymer has dielectric constant, high thermal stability and high humidity-resistance on a semiconductor substrate. The siloxan polymer is formed by directly vaporizing a silicon-containing hydrocarbon compound expressed by the general formula Si.sub..alpha. O.sub..beta. C.sub.x H.sub.y (.alpha., .beta., x, and y are integers) and then introducing the vaporized compound to the reaction chamber of the plasma CVD apparatus. The residence time of the source gas is lengthened by reducing the total flow of the reaction gas, in such a way as to form a siloxan polymer film having a micropore porous structure with low dielectric constant.

Uma película siloxan da isolação do polímero tem uma constante dieléctrica de 3.3 ou abaixa e tem -- SiR.sub.2 O -- repetir unidades estruturais. O polímero siloxan tem a constante dieléctrica, a estabilidade térmica elevada e a umidade-resistência elevada em uma carcaça do semicondutor. O polímero siloxan é dado forma diretamente vaporizando um composto silicone-contendo do hidrocarboneto expressado pela fórmula geral Si.sub..alpha. O.sub..beta. C.sub.x H.sub.y (o alpha., o beta., x, e y são inteiros) e então introduzir o composto vaporizado à câmara da reação do instrumento do CVD do plasma. A época de residência do gás da fonte é alongada reduzindo o fluxo total do gás de reação, em tal maneira a respeito do formulário uma película siloxan do polímero que tem uma estrutura porosa do micropore com constante dieléctrica baixa.