An ion implanting system including an ion implanting chamber for implanting an ion into a semiconductor wafer, a load lock chamber for loading the semiconductor wafer into the ion implanting chamber, a turbo pump for creating a high vacuum atmosphere in the load lock chamber, a low vacuum pump for creating a low vacuum atmosphere in the turbo pump, a cryo pump controller for generating a control signal to control a pumping operation of the turbo pump, a control voltage generator for generating a control voltage in response to the control signal generated from the cryo pump control, an interface for generating a starting signal in response to the control voltage, and a turbo pump controller for applying a voltage to operate the turbo pump and the low vacuum pump in response to the starting signal output from the interface.

Uno ione che impianta sistema compreso uno ione che impianta alloggiamento per l'impianto dello ione in una cialda a semiconduttore, un alloggiamento della serratura del carico per il carico della cialda a semiconduttore nello ione che impianta alloggiamento, una pompa del turbo per la generazione dell'atmosfera alto di vuoto nell'alloggiamento della serratura del carico, un pulsometro basso per la generazione dell'atmosfera basso di vuoto nella pompa del turbo, un regolatore della pompa di cryo per la generazione del segnale di controllo controllare un funzionamento di pompaggio della pompa del turbo, un generatore di tensione di controllo per la generazione della tensione di controllo in risposta al segnale di controllo generato dal controllo della pompa di cryo, un'interfaccia per la generazione del segnale di avvio in risposta alla tensione di controllo e il regolatore della pompa del turbo per l'applicazione della tensione per fare funzionare la pompa del turbo ed il pulsometro basso in risposta al segnale di avvio ha prodotto dall'interfaccia.