A semiconductor laser device has on a compound semiconductor substrate at least a lower cladding layer, an active layer, an upper cladding layer and a contact layer. An upper part of the upper cladding layer and the contact layer are formed as a mesa-structured portion having a ridge stripe pattern, and both sides of the mesa structured portion are buried with a current blocking layer. The laser device includes the current blocking layer having a pit-like recess penetrating thereof and extending towards the compound semiconductor substrate, and a portion of the recess other than that penetrating the current blocking layer being covered or buried with an insulating film or a compound semiconductor layer with a high resistivity. The compound semiconductor substrate and the electrode layer thus can be kept insulated in an area other than a current injection area, thereby non-emissive failure due to short-circuit is prevented.

Een apparaat van de halfgeleiderlaser heeft op een substraat van de samenstellingshalfgeleider minstens een lagere bekledingslaag, een actieve laag, een hogere bekledingslaag en een contactlaag. Een hoger deel van de hogere bekledingslaag en de contactlaag worden als mesa-gestructureerd gedeelte gevormd dat een patroon van de randstreep heeft, en beide kanten van het mesa gestructureerde gedeelte worden begraven met een huidige het blokkeren laag. Het laserapparaat omvat de huidige het blokkeren laag een kuil-als reces hebben die daarvan doordringen en zich naar het substraat van de samenstellingshalfgeleider uitbreiden, en een gedeelte die van het reces buiten dat die de huidige het blokkeren laag met een isolerende film worden behandeld doordringen of wordt begraven of een laag die van de samenstellingshalfgeleider met een hoog weerstandsvermogen. Het substraat van de samenstellingshalfgeleider en de elektrodenlaag kunnen zo die op een gebied buiten een huidig injectiegebied worden gehouden wordt geïsoleerd, daardoor wordt non-emissive mislukking toe te schrijven aan kort:sluiten verhinderd.