A semiconductor laser diode for controlling the width of a carrier inflow path is provided. The semiconductor laser diode includes a p-type material layer for lasing between a p-type electrode and an n-type electrode, an active layer, and an n-type material layer. The p-type electrode restrictively contacts the p-type material layer. A carrier inflow width controller is included to control the width of a path of carriers flowing from the p-type electrode into the active layer.

Un diodo del laser del semiconductor para controlar la anchura de una trayectoria de la afluencia del portador se proporciona. El diodo del laser del semiconductor incluye un p-tipo capa material para lasing entre un p-tipo electrodo y un n-tipo electrodo, una capa activa, y un n-tipo capa del material. El p-tipo electrodo entra en contacto con restrictivo el p-tipo capa del material. Un regulador de la anchura de la afluencia del portador se incluye para controlar la anchura de una trayectoria de los portadores que fluyen del p-tipo electrodo en la capa activa.