An integrated thin-film photoelectric conversion module includes a multi-layered film including a first electrode layer, a semiconductor layer and a second electrode layer stacked on a main surface of a substrate. The multi-layered film includes a cell region including a plurality of photoelectric conversion cells connected in series, a bypass diode region and a connection region. The connection region does not connect the bypass diode to the cell during reverse bias treatment of the cell and the bypass diode, while the connection region connects the bypass diode in antiparallel to at least one of the plurality of cells connected in series after the reverse bias treatment.

Een geïntegreerde thin-film foto-elektrische omzettingsmodule omvat een multi-layered film met inbegrip van een eerste elektrodenlaag, een halfgeleiderlaag en een tweede elektrodenlaag die op een hoofdoppervlakte van een substraat wordt gestapeld. De multi-layered film omvat een celgebied met inbegrip van een meerderheid van foto-elektrische verbonden omzettingscellen in reeks, een gebied van de omleidingsdiode en een verbindingsgebied. Het verbindingsgebied verbindt niet de omleidingsdiode met de cel tijdens omgekeerde bias behandeling van de cel en de omleidingsdiode, terwijl het verbindingsgebied de omleidingsdiode in antiparallel met minstens één van de meerderheid van cellen verbindt die in reeks na de omgekeerde bias behandeling worden verbonden.