The present invention provides a semiconductor device including a first gate--gate electrode layer located in a first conductive layer and including gate electrodes of a first load transistor and a first driver transistor and a second gate--gate electrode layer located in the first conductive layer and including gate electrodes of a second load transistor and a second driver transistor. A first drain--drain connecting layer is located in a second conductive layer which is an upper layer of the first conductive layer and connects a drain of the first load transistor with a drain of the first driver transistor. A second drain--drain connecting layer is located in the second conductive layer and connects a drain of the second load transistor with a drain of the second driver transistor. A first drain-gate connecting layer is located in a third conductive layer which is an upper layer of the first and second drain--drain connecting layers and connects the first drain--drain connecting layer with the second gate--gate electrode layer and a stacked contact-conductive section connects the third conductive layer with the first conductive layer and has a structure in which an upper layer conductive section buried in a second interlayer dielectric used to insulate the second conductive layer from the third conductive layer is stacked over a lower layer conductive section buried in a first interlayer dielectric used to insulate the first conductive layer from the second conductive layer.

Присытствыющий вымысел обеспечивает прибора на полупроводниках включая первый строб -- слой электрода строба расположенный в первом проводном слое и вклюать электроды строба первого транзистора нагрузки и первого транзистора водителя и второго строба -- слой электрода строба расположенный в первом проводном слое и вклюать электроды строба второго транзистора нагрузки и второго транзистора водителя. Первый сток -- слой стока соединяясь расположен в вторым проводным слоем будет верхний слой первого проводного слоя и подключает сток первого транзистора нагрузки с стоком первого транзистора водителя. Второй сток -- слой стока соединяясь расположен в втором проводном слое и подключает сток второго транзистора нагрузки с стоком второго транзистора водителя. Слой первого стекать-stroba соединяясь расположен в третьим проводным слоем будет верхний слой первого и второй сток -- стеките соединяясь слои и соедините первый сток -- стеките соединяясь слой с вторым стробом -- слой электрода строба и штабелированный контактировать-provodno1 раздел соединяют третий проводной слой с первым проводным слоем и имеют структуру в раздел верхнего слоя проводной похоронил в втором диэлектрике прослойка используемом для того чтобы изолировать второй проводной слой от третьего проводного слоя штабелирован над разделом более низкого слоя проводным похороненным в первом диэлектрике прослойка используемом для того чтобы изолировать первый проводной слой от второго проводного слоя.

 
Web www.patentalert.com

< Integrated thin-film photoelectric conversion module

< Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same

> Spacers used for picture display devices and a method of producing the same

> Meander antenna and method for tuning resonance frequency of the same

~ 00092