The method produces coherent dislocation-free regions from initially dislocated and/or defect-rich lattice mismatched layer grown on top of the substrate having a different lattice constant, which does not contain any processing steps before of after the lattice-mismatched layer growth. The process preferably uses in situ formation of a cap layer on top of a dislocated layer. The cap layer preferably has a lattice parameter close to that in the underlying substrate, and different from that in the lattice mismatched layer in no strain state. Under these conditions, the cap layer undergoes elastic repulsion from the regions in the vicinity of the dislocations, where the lattice parameter is the most different from that in the substrate. The cap layer is absent in these regions. When the cap layer has a lower thermal evaporation rate than the underlying lattice-mismatched layer, the regions of this lattice-mismatched layer containing dislocations are selectively evaporated at high enough temperatures, and only the coherent defect-free regions of the initially defect-rich lattice-mismatched layer remain on the substrate. In one embodiment of the invention, the defect-free regions are formed on the substrate with a size preferably tuned in the range of 30-1000 nm, depending on the annealing conditions, thickness of the cap layer, and the lattice mismatch. A device created by this method is also disclosed.

Il metodo produce le regioni dislocation-free coerenti e/o difetto-ricca strato mal adattato da grata inizialmente slogata sviluppato in cima al substrato che ha un costante differente della grata, che non contiene prima alcune fasi di lavorazione dopo dello sviluppo grata-mal adattato di strato. Il processo usa preferibilmente la formazione in situ di uno strato della protezione in cima ad uno strato slogato. Lo strato della protezione ha preferibilmente un parametro della grata vicino a quella nel substrato di fondo e differente da quello nello strato mal adattato grata in nessuno sforzo dichiari. In queste circostanze, lo strato della protezione subisce la repulsione elastica dalle regioni nelle vicinanze delle dislocazioni, dove il parametro della grata è il più differente da quello nel substrato. Lo strato della protezione è assente in queste regioni. Quando lo strato della protezione ha un tasso termico più basso di evaporazione che lo strato grata-mal adattato di fondo, le regioni di questo strato grata-mal adattato che contiene le dislocazioni sono volatilizzate selettivamente su ad abbastanza temperature e soltanto le regioni senza difetti coerenti dello strato grata-mal adattato inizialmente difetto-ricco rimangono sul substrato. In un metodo di realizzazione dell'invenzione, le regioni senza difetti sono formate sul substrato con un formato sintonizzato preferibilmente nella gamma di 30-1000 nm, dipendendo dai termini di ricottura, dallo spessore dello strato della protezione e dal disadattamento della grata. Un dispositivo generato con questo metodo inoltre è rilevato.