This invention pertains to a method of fabricating an MRAM structure. The method includes forming a pinned layer within a protective region defined by sidewalls formed over a substrate. The protective sidewalls facilitate formation of the MRAM structure by a self-aligning process.

Esta invención pertenece a un método de fabricar una estructura de MRAM. El método incluye la formación de una capa fijada dentro de una región protectora definida por los flancos formados sobre un substrato. Los flancos protectores facilitan la formación de la estructura de MRAM por un proceso autoalineador.