The invention is directed to semiconductor wafer structures having increased thermal conductivity over conventional semiconductor wafer designs due to the inclusion of an isotopically-enriched material on at least one surface of the wafer substrate. The isotopically-enriched material may be isotopically-enriched silicon, germanium, silicon-germanium alloys, gallium arsenide, aluminum gallium arsenide, gallium nitride, gallium phosphide, gallium indium nitride, indium phosphide or combinations and alloys of these materials. In another embodiment, the substrate is removed from the wafer structure to leave a top semiconductor layer on a layer of isotopically-enriched materials with no underlying substrate.

L'invention est dirigée vers des structures de gaufrette de semi-conducteur ayant augmenté des conceptions conventionnelles de gaufrette de semi-conducteur d'excédent de conductivité thermique dues à l'inclusion d'un matériel isotopique-enrichi sur au moins une surface du substrat de gaufrette. Le matériel isotopique-enrichi peut être silicium isotopique-enrichi, germanium, alliages de silicium-germanium, arséniure de gallium, arséniure de gallium en aluminium, nitrure de gallium, phosphure de gallium, nitrure d'indium de gallium, phosphure d'indium ou combinaisons et alliages de ces matériaux. Dans une autre incorporation, le substrat est enlevé de la structure de gaufrette pour laisser une couche supérieure de semi-conducteur sur une couche de matériaux isotopique-enrichis sans le substrat fondamental.