The present invention provides a method including the steps of: forming a first diffusion barrier on an insulating layer and in a contact hole; forming a conductive layer on the first diffusion barrier; forming a conductive plug in the contact hole by removing the conductive layer thereby obtaining a first recess in the contact hole, wherein the first recess is surrounded by the conductive layer in the contact hole; etching the first diffusion barrier on the insulating layer thereby forming a second recess in the contact hole, wherein a portion of the conductive plug is surrounded by the second recess and the second recess is surrounded by the insulating layer; removing the portion of the conductive plug surrounded by the second recess thereby forming a third recess in the contact hole, wherein the third recess is surrounded by the insulating layer and bottom of the of the third recess expose the first diffusion barrier and the conductive plug in the contact hole; and forming a second diffusion barrier in the third recess.

La actual invención proporciona un método incluyendo los pasos de: formando una primera barrera de difusión en una capa de aislamiento y en un agujero del contacto; formación de una capa conductora en la primera barrera de difusión; formando un conductor enchufa el agujero del contacto quitando la capa conductora de tal modo que obtiene una primera hendidura en el agujero del contacto, en donde la primera hendidura es rodeada por la capa conductora en el agujero del contacto; grabar al agua fuerte la primera barrera de difusión en la capa de aislamiento de tal modo que forma una segunda hendidura en el agujero del contacto, en donde una porción del enchufe conductor se rodea por la segunda hendidura y la segunda hendidura es rodeada por la capa de aislamiento; quitar la porción del enchufe conductor rodeado por la segunda hendidura de tal modo que forma una tercera hendidura en el agujero del contacto, en donde la tercera hendidura es rodeada por la capa de aislamiento y el fondo del de la tercera exposición de la hendidura la primera barrera de difusión y el conductor enchufa el agujero del contacto; y formando una segunda barrera de difusión en la tercera hendidura.

 
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< Semiconductor device and a method therefor

< Semiconductor device with capacitor structure having hydrogen barrier layer and method for the manufacture thereof

> Process for producing oxide thin films

> Protective layers prior to alternating layer deposition

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