A recessed bond pad within an electronic device on a substrate, and associated method of fabrication. The electronic device includes N contiguous levels of interconnect metallurgy, with level N coupled to the substrate. A first group of metallic etch stops is formed at level M.ltoreq.N, and a second group of metallic etch stops is formed at level M-1. The second group conductively contacts the first group in an overlapping multilevel matrix pattern. A recessed copper pad is formed at level K.ltoreq.M-2. A cylindrical space that encloses the metal pad encompasses levels 1,2, . . . , M-1 above the first group, and levels 1,2, . . . , M-2 above the second group. Dielectric material in the cylindrical space is etched away, leaving a void supplanting the etched dielectric material, and leaving exposed surfaces of the cylindrical space. The copper pad is exposed and recessed within the cylindrical space. An aluminum layer is conformally formed to encapsulate the exposed copper pad, to protect the copper pad from oxidation. The recessed bond pad includes the copper pad and the encapsulating aluminum layer. A blanket is formed that covers remaining exposed surfaces of the cylindrical space while leaving a portion of the aluminum layer of the bond pad exposed. The blanket protects the surfaces from oxidation, contaminants, and mechanical stress. The recessing of the bond pad prevents force applied to a wirebond on the bond pad from being transmitted to dielectric material within the substrate.

Un rilievo schiavo messo all'interno di un dispositivo elettronico su un substrato e metodo collegato di montaggio. Il dispositivo elettronico include i livelli attigui di N di metallurgia di interconnessione, con il livello N accoppiato al substrato. Un primo gruppo degli arresti metallici incissione all'acquaforte è formato al livello M.ltoreq.N e un secondo gruppo degli arresti metallici incissione all'acquaforte è formato al livello M-1. Il secondo gruppo conduttivo si mette in contatto con il primo gruppo in un modello multilivelli di sovrapposizione della tabella. Un rilievo di rame messo è formato al livello K.ltoreq.M-2. Uno spazio cilindrico che acclude il rilievo del metallo comprende i Livelli 1.2. . . , M-1 sopra il primo gruppo e Livelli 1.2. . . , m2 sopra il secondo gruppo. Il materiale dielettrico nello spazio cilindrico è inciso via, lasciante un vuoto che soppianta il materiale dielettrico inciso e lasciante le superfici esposte dello spazio cilindrico. Il rilievo di rame è esposto e si mette all'interno dello spazio cilindrico. Uno strato di alluminio conformally è formato incapsula il rilievo di rame esposto, per proteggere il rilievo di rame da ossidazione. Il rilievo schiavo messo include il rilievo di rame e lo strato di alluminio d'incapsulamento. Una coperta è formata che riguarda le superfici esposte restanti dello spazio cilindrico mentre lascia una parte dello strato di alluminio del rilievo schiavo esposta. La coperta protegge le superfici da ossidazione, dagli agenti inquinanti e dallo sforzo meccanico. Mettere del rilievo schiavo impedisce la forza applicata ad un wirebond sul rilievo schiavo essere trasmesso al materiale dielettrico all'interno del substrato.