The system and method disclosed employ one or more switchable, close proximity electromagnets as part of the MRAM device circuit package to apply external magnetic fields to the magnetic elements and conductive lines of the MRAM array. A magnetic field generated by an electromagnet spanning all or part of an MRAM array could be used to selectively erase the MRAM array in whole or in part, respectively. In addition, the magnetic fields could be generated to support the magnetic fields sought to be induced by application of current to the row and column lines of the MRAM array, allowing for the writing of data to magnetic elements in the MRAM array using less power. In additional, diagonally disposed electromagnets could be used to generate these magnetic fields, and could also be used to demagnetize the row and column lines of the MRAM array.

Das System und die Methode, die freigegeben werden, setzen ein oder mehr schaltbaren, nahen Näheelektromagneten als Teil des MRAM Vorrichtung Stromkreispakets ein, zum externes magnetisches anzuwenden auffängt zu den magnetischen Elementen und zu den leitenden Linien der MRAM Reihe. Ein magnetisches fangen erzeugt durch ein Elektromagneten auf, das alles oder zum Teil einer MRAM Reihe überspannt, könnte verwendet werden, die MRAM Reihe selektiv ganz oder teilweise zu löschen, beziehungsweise. Zusätzlich fängt das magnetische könnte erzeugt werden, um das magnetische zu stützen auffängt gesucht, durch Anwendung des Stromes zur Reihe verursacht zu werden auf und die Spalte Linien der MRAM Reihe, zulassend das Schreiben von Daten zu den magnetischen Elementen im MRAM kleiden mit weniger Energie. In den zusätzlichen, diagonal abgeschaffenen Elektromagneten konnte verwendet werden, diese magnetischen zu erzeugen auffängt und konnte auch verwendet werden, Reihe und die Spalte Linien der MRAM Reihe zu entmagnetisieren.