After the surface of a Si substrate (1) has been pretreated, an SiGeC layer (2) is formed on the Si substrate (1) using an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) apparatus. During this process step, the growth temperature of the SiGeC layer (2) is set at 490.degree. C. or less and Si.sub.2 H.sub.6, GeH.sub.4 and SiH.sub.3 CH.sub.3 are used as Si, Ge and C sources, respectively, whereby the SiGeC layer (2) with good crystallinity can be formed.

Nachdem die Oberfläche eines Silikon Substrates (1) vorbehandelt worden ist, wird eine SiGeC Schicht (2) auf dem Silikon Substrat (1) mit einem UltrahochApparat der Absetzung des vakuumchemischen Dampfes (UHV-CVD) gebildet. Während dieses Prozeßschrittes wird die Wachstumtemperatur der SiGeC Schicht (2) an 490.degree eingestellt. C. oder kleiner und Si.sub.2 H.sub.6, GeH.sub.4 und SiH.sub.3 CH.sub.3 werden als Silikon, GE und C Quellen beziehungsweise verwendet hingegen die SiGeC Schicht (2) mit guter Kristallinität gebildet werden kann.