A semiconductor memory including a ferroelectric gate capacitor structure includes an insulating interlayer formed on the surface of a semiconductor substrate. The insulating interlayer includes a hole at a position corresponding to a channel region. In the channel length direction, the hole extends across the channel region. A ferroelectric gate capacitor structure is formed in the hole. The ferroelectric gate capacitor structure includes a dielectric film, ferroelectric film, and upper electrode formed in this order from the substrate side.

Память полупроводника включая ferroelectric структуру конденсатора строба вклюает изолируя прослоек сформированный на поверхности субстрата полупроводника. Изолируя прослоек вклюает отверстие на положение соответствуя к зоне канала. В направление длины канала, отверстие удлиняет через зону канала. Ferroelectric структура конденсатора строба сформирована в отверстии. Ferroelectric структура конденсатора строба вклюает диэлектрическую пленку, ferroelectric пленку, и верхний сформированный электрод в этот заказ от стороны субстрата.