An apparatus for receiving optical pump radiation having a wavelength .lambda..sub.p and transmitting pump light to an active region. The apparatus includes a first and second reflector, each reflector being reflective at the wavelength .lambda..sub.p, disposed on opposite sides of the active region, where the separation between the reflectors creates a cavity that is resonant at the pump wavelength .lambda..sub.p. The separation distance is preferably about m.lambda..sub.p /2n cos .theta., where n is the average index of refraction of the material having an active region, .theta. is the angle that the pump beam transverses relative the normal of said reflectors, and m is any positive integer. The apparatus provides low cost, high power, optically pumped edge emitting and surface emitting lasers which can be operated at elevated temperatures or power levels. The apparatus further provides mid-IR, high power optically pumped semiconductor lasers with high pump absorbance, long pump wavelength, and a thin active layer.

Прибор для получать оптически радиацию насоса имея lambda..sub.p длины волны и передавая свет насоса к активно зоне. Прибор вклюает первый и второй рефлектор, каждый рефлектор отражательн на lambda..sub.p длины волны, размещанном на противоположных сторонах активно зоны, где разъединение между рефлекторами создает полость которая резонирующа на lambda..sub.p длины волны насоса. Расстояние предпочтительн о theta. m.lambda..sub.p /2n cos, где н будет средние показатели рефракции материала имея активно зону, theta. угол родственник transverses луча насоса нормальный сказанных рефлекторов, и м будет любым положительным интежером. Прибор обеспечивает низкую цену, высокую силу, оптически нагнетенные испускать края и поверхность испуская лазеры которые можно управлять на повышенных температурах или уровнях силы. Прибор более дальнейший обеспечивает мид-IKye, высокие лазеры полупроводника силы оптически нагнетенные с высоким absorbance насоса, длиннюю длину волны насоса, и тонкий активно слой.