A multi layered copper bond pad for a semiconductor die which inhibits formation of copper oxide is disclosed. A small dose of titanium is implanted in the copper surface. The implanted titanium layer suppresses the copper oxide growth in the copper bond pad by controlling the concentration of vacancies available to the copper ion transport. An interconnect structure such as a wire bond or a solder ball may be attached to the copper-boron layer to connect the semiconductor die to a lead frame or circuit support structure. In another embodiment, a titanium-aluminum passivation layer for copper surfaces is also disclosed. The titanium-aluminum layer is annealed to form a titanium-aluminum-copper alloy. The anneal may be done in a nitrogen environment to form a titanium-aluminum-copper-nitrogen alloy.

Ένα πολυ βαλμένο σε στρώσεις μαξιλάρι δεσμών χαλκού για έναν κύβο ημιαγωγών που εμποδίζει το σχηματισμό του οξειδίου χαλκού αποκαλύπτεται. Μια μικρή δόση του τιτανίου εμφυτεύεται στην επιφάνεια χαλκού. Το εμφυτευμένο στρώμα τιτανίου καταστέλλει την αύξηση οξειδίων χαλκού του μαξιλαριού δεσμών χαλκού με τον έλεγχο της συγκέντρωσης των κενών διαθέσιμων στην ιονική μεταφορά χαλκού. Μια δομή διασύνδεσης όπως ένας δεσμός καλωδίων ή μια σφαίρα ύλης συγκολλήσεως μπορεί να συνδεθεί με το στρώμα χαλκός-βορίου για να συνδέσει τον κύβο ημιαγωγών με μια δομή υποστήριξης πλαισίων ή κυκλωμάτων μολύβδου. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, ένα στρώμα παθητικότητας τιτάνιο-αργιλίου για τις επιφάνειες χαλκού αποκαλύπτεται επίσης. Το στρώμα τιτάνιο-αργιλίου ανοπτείται για να διαμορφώσει ένα κράμα τιτάνιο-αργίλιο-χαλκού. Ανοπτήστε μπορεί να γίνει σε ένα περιβάλλον αζώτου για να διαμορφώσει ένα κράμα τιτάνιο-αργίλιο-χαλκός-αζώτου.