A magnetic memory device of the present invention includes a first wiring conductor having a first ability to flow a current therethrough, a second wiring conductor having a second ability larger than the first ability to flow a current therethrough, a magnetic memory cell having a pinned magnetic layer coupled to the second wiring conductor, a free magnetic layer coupled to the first wiring conductor and anon-magnetic layer sandwiched between the first and second magnetic layers. The first wiring conductor is made by aluminum and the second wiring conductor is made by copper.

Un bloc de mémoires magnétique de la présente invention inclut un premier conducteur de câblage ayant une première capacité de couler un courant par là, un deuxième conducteur de câblage ayant des deuxièmes capacités plus grandes que la première capacité de couler un courant par là, une cellule de mémoire magnétique ayant une couche magnétique goupillée couplé dans le deuxième conducteur de câblage, une couche magnétique libre couplé au premier conducteur de câblage et la couche anonyme-magnétique serrée entre les premières et deuxièmes couches magnétiques. Le premier conducteur de câblage est fait par l'aluminium et le deuxième conducteur de câblage est fait par le cuivre.