A new method for CVD deposition on a substrate is taught wherein radical species are used in alternate steps to depositions from a molecular precursor to treat the material deposited from the molecular precursor and to prepare the substrate surface with a reactive chemical in preparation for the next molecular precursor step. By repetitive cycles a composite integrated film is produced. In a preferred embodiment the depositions from the molecular precursor are metals, and the radicals in the alternate steps are used to remove ligands left from the metal precursor reactions, and to oxidize or nitridize the metal surface in subsequent layers. A variety of alternative chemistries are taught for different films, and hardware combinations to practice the invention are taught as well.

Een nieuwe methode voor het deposito van CVD op een substraat wordt onderwezen waarin de radicale soorten in afwisselende stappen aan deposito's van een moleculaire voorloper worden gebruikt om het materiaal te behandelen dat van de moleculaire voorloper wordt gedeponeerd en de substraatoppervlakte met een reactief chemisch product als voorbereiding op de volgende moleculaire voorloperstap voor te bereiden. Door herhaalde cycli wordt een samengestelde geïntegreerde film geproduceerd. In een aangewezen belichaming zijn de deposito's van de moleculaire voorloper metalen, en de basissen in de afwisselende stappen worden gebruikt om ligands links uit de reacties van de metaalvoorloper te verwijderen, en te oxyderen of nitridize de metaaloppervlakte in verdere lagen. Een verscheidenheid van alternatieve chemie wordt onderwezen voor verschillende films, en de hardwarecombinaties worden om de uitvinding uit te oefenen eveneens onderwezen.

 
Web www.patentalert.com

< Superconductor barrier layer for integrated circuit interconnects

< Atomic layer deposition of capacitor dielectric

> Method for forming a tantalum oxide capacitor

> Method of forming graded thin films using alternating pulses of vapor phase reactants

~ 00089