A substrate processing unit 10 capable of restraining contaminants such as particles, watermarks and the like from being adhered to a substrate such as a semiconductor wafer and the like, wherein the substrate processing unit 10 comprises a processing bath 11 for accommodating the substrates (e.g., wafer W) to be processed, a processing fluid introduction pipe 21 for supplying processing fluid (e.g., purified water J) to the processing bath 11, a vapor generating bath 61 for accommodating an organic solvent S (e.g., IPA fluid), a processing fluid discharge section 30 for discharging processing fluid from the processing bath 11, and a solvent heating unit 62 for heating the organic solvent S inside the vapor generating bath 61, wherein the vapor generating bath 61 introduces vapor generated from the organic solvent S to the inside of the processing bath 11, and the solvent heating unit 62 heats the organic solvent S inside the vapor generating bath 61 at a temperature in the range of 50.degree. C..+-.5.degree. C. if a surface of the wafer W is hydrophobic and heats the organic solvent S at a temperature in the range of 70.degree. C..+-.5.degree. C. if the surface of the wafer W is hydrophilic.

Un'unità di elaborazione 10 del substrato capace di trattenere gli agenti inquinanti quali le particelle, le filigrane ed i simili dall'aderirsi ad un substrato quale una cialda a semiconduttore ed i simili, in cui l'unità di elaborazione 10 del substrato contiene un bagno d'elaborazione 11 per l'accomodazione dei substrati (per esempio, cialda W) da procedere, un tubo fluido d'elaborazione 21 dell'introduzione per liquido d'elaborazione fornente (per esempio, acqua purificata J) al bagno d'elaborazione 11, un vapore che generano bagno 61 per l'accomodazione del solvente organico S (per esempio, liquido di IPA), una parte fluida d'elaborazione 30 di scarico per scaricare liquido d'elaborazione dal bagno d'elaborazione 11 e un impianto di riscaldamento solvibile 62 per il riscaldamento del solvente organico S all'interno del vapore generare il bagno 61, in cui il vapore che genera il bagno 61 introduce il vapore generato dal solvente organico S alla parte interna del bagno d'elaborazione 11 e l'impianto di riscaldamento solvibile 62 riscalda il solvente organico S all'interno del vapore che genera il bagno 61 ad una temperatura nella gamma di 50.degree. C..+-.5.degree. C. se una superficie della cialda W è idrofoba e riscalda il solvente organico S ad una temperatura nella gamma di 70.degree. C..+-.5.degree. C. se la superficie della cialda W è idrofila.