A method is presented for self-test and self-repair of a semiconductor memory device. Prior to the self-repair stage, both redundant and regular memory portions are comprehensively tested, preferably using a checkerboard bit pattern. Faulty rows identified in each memory portion during testing are recorded. Known-bad rows in regular memory are then replaced by known-good redundant rows in the self-repair stage, and the resulting repaired memory is retested for verification. Compared to existing methods, the new method is believed to provide improved test coverage, making it both more effective in identifying non-repairable memory devices and less prone to fail repairable ones.

Une méthode est présentée pour art de l'auto-portrait-test et art de l'auto-portrait-repair d'un dispositif de mémoire à semiconducteurs. Avant les parties superflues et régulières d'étape de art de l'auto-portrait-repair, de mémoire sont largement examinés, de préférence à l'aide d'un damier configuration binaire. Des rangées défectueuses identifiées dans chaque partie de mémoire pendant l'essai sont enregistrées. de Connaître-mauvaises rangées dans la mémoire régulière sont alors remplacées par de connaître-bonnes rangées superflues dans l'étape de art de l'auto-portrait-repair, et la mémoire réparée résultante est essayée de nouveau pour la vérification. Comparé aux méthodes existantes, la nouvelle méthode est censée pour fournir l'assurance améliorée d'essai, la rendant plus efficace en identifiant les blocs de mémoires irréparables et moins encline pour échouer les réparables.