A magneto-resistance effect ("MR") type composite head includes a reproduction head with an MR element arranged between a first and a second magnetic shield; and a recording head arranged adjacent to the reproduction head so as to use the second magnetic shield as a first magnetic pole film and having a second magnetic pole film opposing to the first magnetic pole via a magnetic gap; the MR element includes a center region including a ferromagnetic tunnel junction magneto-resistance effect film having a first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer for generating a magneto-resistance effect using the first and the second magnetic shields as electrodes so that a current flows in an almost vertical direction between the first and the second magnetic shields; a tunnel barrier layer provided between the first and the second ferromagnetic layer; and an end region arranged to sandwich the center region from both sides for /applying a bias magnetic field to the center region.

Головка типа влияния magneto-resistance ("ГА-Н") составная вклюает головку воспроизводства с ГОМ-Н элементом аранжированным между первым и вторым магнитным экраном; и головка записи аранжировала за головкой воспроизводства использовать второй магнитный экран как первая пленка и иметь магнитного полюса вторую пленку магнитного полюса сопротивляться к первому магнитному полюсу через магнитный зазор; Г-Н элемент вклюает разбивочную зону включая сегнетомагнитную пленку влияния magneto-resistance соединения тоннеля имея первый сегнетомагнитный слой и второй сегнетомагнитный слой для производить влияние magneto-resistance использующ первое и вторые магнитные экраны как электроды так, что течение пропустит в почти вертикальном направлении между первым и вторыми магнитными экранами; слой барьера тоннеля обеспечил между первым и вторым сегнетомагнитным слоем; и зона конца аранжировала прослоить разбивочную зону от обеих сторон для /applying косое магнитное поле к разбивочной зоне.