To fabricate back side contact pads that are suitable for use in a vertical integrated circuit, vias are made in the face side of a wafer, and dielectric and contact pad metal are deposited into the vias. Then the wafer back side is etched until the metal is exposed. When the etch exposes the insulator at the via bottoms, the insulator is etched slower than the wafer material (e.g. silicon). Therefore, when the dielectric is etched off and the metal is exposed, the dielectric protrudes down from the wafer back side around the exposed metal contact pads, by about 8 .mu.m in some embodiments. The protruding dielectric portions improve insulation between the wafer and the contact pads when the contact pads are soldered to an underlying circuit. In some embodiments, before the contact pads are soldered, additional dielectric is grown on the wafer back side without covering the contact pads. In some embodiments, the wafer etch and the fabrication of the additional dielectric are performed one after another by a plasma process while the wafer is held in a non-contact wafer holder. In some embodiments, the wafer is diced and the dice are tested before the etch. The etch and the deposition of the additional dielectric are performed on good dice only. In some embodiments, the dice are not used for vertical integration.

Για να κατασκευάσουν τα μαξιλάρια επαφών πίσω πλευράς που είναι κατάλληλα για τη χρήση σε ένα κάθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα, τα vias γίνονται στην πλευρά προσώπου μιας γκοφρέτας, και το μέταλλο διηλεκτρικών και μαξιλαριών επαφών εναποτίθεται στα vias. Κατόπιν η πίσω πλευρά γκοφρετών χαράζεται έως ότου εκτίθεται το μέταλλο. Όταν χαράξτε τις εκθέσεις ο μονωτής μέσω των κατώτατων σημείων, ο μονωτής είναι χαραγμένος πιό αργός από το υλικό γκοφρετών (π.χ. πυρίτιο). Επομένως, όταν χαράζεται μακριά ο διηλεκτρικός και το μέταλλο εκτίθεται, ο διηλεκτρικός προεξέχει κάτω από την πίσω πλευρά γκοφρετών γύρω από τα εκτεθειμένα μαξιλάρια επαφών μετάλλων, από περίπου 8 μu.μ σε μερικές ενσωματώσεις. Οι προεξέχουσες διηλεκτρικές μερίδες βελτιώνουν τη μόνωση μεταξύ της γκοφρέτας και των μαξιλαριών επαφών όταν συγκολλώνται τα μαξιλάρια επαφών σε ένα ελλοχεύον κύκλωμα. Σε μερικές ενσωματώσεις, πριν από την επαφή τα μαξιλάρια είναι συγκολλημένα, πρόσθετος διηλεκτρικός αυξάνεται από την πίσω πλευρά γκοφρετών χωρίς κάλυψη των μαξιλαριών επαφών. Σε μερικές ενσωματώσεις, η γκοφρέτα χαράζει και η επεξεργασία πρόσθετου του διηλεκτρικού είναι διενεργηθείσα μια μετά από άλλη με μια διαδικασία πλάσματος ενώ η γκοφρέτα κρατιέται σε έναν κάτοχο γκοφρετών μη-επαφών. Σε μερικές ενσωματώσεις, η γκοφρέτα είναι χωρισμένη σε τετράγωνα και χωρίστε σε τετράγωνα εξετάζεται προτού να χαράξτε. Χαράξτε και η απόθεση πρόσθετου του διηλεκτρικού εκτελείται στο αγαθό χωρίζει σε τετράγωνα μόνο. Σε μερικές ενσωματώσεις, χωρίστε σε τετράγωνα δεν χρησιμοποιείται για την κάθετη ολοκλήρωση.