In the etching method, ozone water containing an oxidation agent having an oxidation-reduction potential of 2V or more is supplied onto a metal compound film such as SrRuO film or the like, and the metal compound film is etched by oxidation-reduction reaction involving oxygen. The metal compound film, which is conventionally removed by a physical removal method, can be easily removed by wet etching. Manufacture of a capacitor containing an SrRuO film and the like can thus be facilitated.

Nel metodo acquaforte, l'acqua dell'ozono che contiene un agente di ossidazione che ha un potenziale di ossidazione/riduzione di 2V o di più è fornita su una pellicola del residuo del metallo quali la pellicola di SrRuO e simili e la pellicola del residuo del metallo è incisa da reazione di ossidazione/riduzione che coinvolge l'ossigeno. La pellicola del residuo del metallo, che è rimossa convenzionalmente con un metodo fisico di rimozione, può essere rimossa facilmente acquaforte bagnata. La fabbricazione di condensatore che contiene una pellicola di SrRuO ed i simili inscatolano così sono facilitati.